سامسونج بصدد انتاج ذاكرات عشوائية بسعة 4 جيجابايت من نوع LPDDR 3 للهواتف الذكية
أعلنت سامسونج عن البدأ في انتاج ذاكرات عشوائي سعة 4 جيجابايت من نوع LPDDR3 و بهندسة 20 نانومتر للأجهزة المحمولة. هذا الجيل الجديد من الذاكرات العشوائية أسرع و أكثر توفيرا للطاقة من سابقه. فسرعة القراءة في هذا الجيل تبلغ 2133 ميجابت في الثانية مقارنة ب 800 ميجابت في الثانية للجيل السابق. ايضا لشركة تقول ان الجيل الجديد يستهلك طاقة بنسبة 20% عن الجيل السابق.
مواضيع مشابهة
